《CNBC》周四 (22 日) 報導，荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾 (ASML)(ASML.US) 耗時近十年打造的新一代高數值孔徑極紫外光曝光機 (High-NA EUV)，正在悄悄重塑全球晶片製程。這台全球最先進、造價超過 4 億美元的晶片製造機器，體積堪比雙層巴士，目前已進入實際量產階段，服務台積電 (TSM.US) (2330-TW)、三星與英特爾 (INTC.US) 等全球頂尖晶圓廠。
全球最貴晶片機器 首度揭開神秘面紗
High-NA 是艾司摩爾極紫外光 (EUV) 設備的新一代版本，其中「NA」代表「數值孔徑」(Numerical Aperture)，意味著其鏡頭開口更大，能捕捉更多光線，以更高解析度描繪晶片電路。《CNBC》近期獲獨家邀請參觀艾司摩爾位於荷蘭費爾德霍芬的實驗室，這也是該設備首度對外曝光，連艾司摩爾自家團隊都從未拍攝過。
艾司摩爾表示，組裝一台 High-NA 系統須動員美國康乃狄克州、加州、德國與荷蘭四地模組，最終送回荷蘭總部測試，再拆解運往客戶端。運送規模驚人，需動用七架波音 (BA.US) 747 或 25 輛卡車。首批商業安裝地點是英特爾位於美國奧勒岡州的晶圓廠，全球目前僅五台 High-NA 正式出貨。
更快、更細、更省成本 High-NA 開啟晶片製程新世代
相較上一代 EUV 機種，High-NA 的解析度更高、製程步驟更少，可顯著提升良率與生產效率。英特爾表示，已用 High-NA 生產約 3 萬片晶圓，可靠性為前代機種的兩倍。三星則指出，High-NA 可讓製程週期縮短 60%，大幅提高每秒運算量。
艾司摩爾技術副總裁 Jos Benschop 解釋，High-NA 可在一張晶圓上投射更多電路，避免過去需多次重複曝光的「多重圖樣」技術，進而提升速度與良率。他表示：「High-NA 的核心價值在於電路微縮與簡化製程。」
艾司摩爾執行長福克 (Christophe Fouquet) 則強調，隨著人工智慧 (AI) 晶片需求激增，業界亟需在降低功耗與提高效率間取得平衡。他指出，艾司摩爾自 2018 年以來已將每片晶圓的耗電量降低超過 60%。
受美國出口管制影響 中國難取得 EUV
High-NA 為 EUV 技術的延伸，EUV 光波長僅 13.5 奈米，是深紫外光曝光機 (DUV)(193 奈米) 的升級版本。艾司摩爾是全球唯一可商業化 EUV 的公司，使用特殊鏡面反射極紫外光來描繪晶片圖樣，光源來自以雷射轟擊熔融錫產生的高能等離子體。
目前美國出口管制禁止艾司摩爾對中國出售 EUV 設備，僅允許銷售 DUV 機種。2024 年中國仍占艾司摩爾營收比重達 49%，主因是清空先前積壓訂單。艾司摩爾預期，2025 年中國業務將回落至 20%–25% 的歷史常態區間。
福克表示，中國短期內自行開發 EUV 機器的可能性不高，當前僅能透過 DUV 技術製造中階晶片。美方對 AI 晶片外流中國的疑慮，使出口限制日益嚴格。
瞄準美國擴產需求 ASML 擴建訓練中心
艾司摩爾表示，隨著 High-NA 出貨量提升，公司正在美國亞利桑那州設立首座培訓中心，預計數月內開幕，年培訓人數達 1,200 人，將涵蓋 EUV 與 DUV 操作訓練。福克表示：「這項設施不僅供應美國所需，也將培育全球 EUV 專才。」
除了台積電在美擴廠外，英特爾位於俄亥俄州與亞利桑那州的新廠也被視為 High-NA 的潛在主要用戶。儘管英特爾近年競爭力下滑，福克強調英特爾仍是「極為關鍵的合作夥伴」，對美國半導體自主性具戰略意義。
展望未來，艾司摩爾正著手研發下一代「Hyper NA」機種，福克表示該產品預計在 2032 至 2035 年之間推出，目前已有初步光學設計，但尚未決定售價。
(美股為即時串流報價； OTC市場股票除外，資料延遲最少15分鐘。)新聞來源 (不包括新聞圖片): 鉅亨網